国产22nm光刻机通过验收打破国外垄断
  时间:2019-02-08 16:19:29 来源: 万达娱乐注册 作者:匿名
近日,国家重大科研设备开发项目“超分辨率光刻设备开发”于29日通过验收,这是世界上第一台在中国研制成功的最高紫外超分辨率光刻设备。光刻机由中国科学院光电技术研究所开发。光刻分辨率达到22nm。结合多重曝光技术,它可用于制造工艺小于10纳米的芯片。 中国科学院物理与化学研究所,徐祖炎等接受组专家一致表示,光刻机在365 nm波长下的最大线宽分辨率为22 nm。该项目原则上突破了分辨率衍射极限,建立了新的高分辨率,大面积纳米光刻设备研发路线,绕过国外知识产权壁垒。 长期以来,光刻机一直是中国半导体设备的主要缺点。国内单位目前能够批量生产90nm光刻机,ASML和ASML之间的差距非常大。国内晶圆厂所需的光刻机基本上依赖进口,不仅价格非常昂贵,而且还必须排队等待很长的交货时间。此外,即使ASML愿意提供,也需要防范来自大国的政治压力和政治风险。 可以说,如果你能够实现光刻机的自给自足,那绝对是一个令人兴奋的消息。 而且,就技术路线而言,中国科学院光电技术研究所的技术与国际传统技术有一定的差异。 光源是光刻机的核心部件之一。在光刻机的改进中,所使用的光源也在不断改进: 第一代是436nm的g线。 第二代是365nm i-line。 第三代是248nm KrF。 第四代是193nm ArF。 最新的是13.5nm EUV。 目前,集成电路工业中使用的中高端光刻机使用193nm ArF光源和13.5nm EUV光源。 中国科学院光电技术研究所没有使用193nm ArF光源和13.5nm EUV光源。相反,它使用相对传统的汞灯作为光源来实现22纳米光刻分辨率,并走出了自己的道路。这是一项惊人的技术突破。 正是由于这个原因,该项目的副主任胡松表示,中国科学院光电子研究所通过的表面等离子超分辨率光刻设备打破了传统的路径模式,形成了新的纳米光学完全自治的光刻技术路线。知识产权为超材料/超表面,第三代光学和通用芯片等革命性领域的突飞猛进提供了制造工具。事实上,这项技术并非凭空捏造,而是经过多年潜心研发和技术积累。 早在很多年前,就披露了相关信息: 在国家自然科学基金《表面等离子体光学光刻原理和方法研究》和国家863计划《基于Super Lens的纳米光刻技术》的支持下,项目完成单元开展了表面等离子体超衍射光学光刻的基础研究,最初提出将表面等离子体引入光学光。在雕刻领域,已经建立了使用长波长光刻光源(i线,g线等)以实现超出衍射极限光刻的分辨率的新光学光刻研究路线;已经发明了表面等离子体超衍射干涉和表面等离子体能量。光刻技术如局部结构,表面等离子体减少率超分辨率成像,以及1/10波长和接近1/20波长的光刻分辨率结果(传统光学理论的衍射极限是1/4波长);首次在国内外建立了SP光刻实验样机,建立了高陡,高纵横比的光刻工艺。在365nm波长的汞光源下,通过实验获得了50nm的光刻分辨率。 研究成果改变了国际半导体技术蓝图(ITRS)中受光源波长限制的光刻分辨率的传统路径模式,突破了传统光刻技术的原理和技术困境,不能超越光刻技术节点32纳米及以下。实现32nm,22nm甚至10nm光刻技术节点提供了新的理论和技术手段,为光刻技术的发展奠定了坚实的基础。 “超分辨率光刻设备”的验收通过了验收测试,这是中国科学院光电技术研究所多年技术积累的结果。 然而,假装中国将打破高端光刻机器上ASML的垄断还为时过早。 业内人士认为,由于基本原理,可以加工的晶圆尺寸太小,因此Sp光刻也有短板,如果需要质量,只能加工1-4英寸晶圆。 然而,目前晶圆厂的许多晶圆厂都采用12英寸晶圆。甚至6英寸和8英寸晶圆也经常用于特定工艺。中国科学院光电技术研究所的光刻机无法满足晶圆厂的需求。有人可能会说,然后建立一条4英寸的晶圆生产线。 然而,业内专家表示,他们匹配的设备跟不上。 也许每个人都会想,然后等待配套设备跟上。 确实,这并非不可能,但使用这种家用光刻机意味着只能处理1-4英寸晶圆,并且芯片的成本远高于市场上12英寸晶圆的成本。用国产光刻机制造的芯片难以具有商业竞争力。 我想每个人都听过了。这种光刻机的真正用途是特殊的和特殊的领域。 这与公众新闻非常一致。 据媒体报道,光刻机生产的相关设备已经在中国航天科技集团第八研究所,电子科技大学太赫兹科技研究中心,四川华西医院大学,中国科学院微系统研究所信息功能材料国家重点实验室。它已被许多研究机构和大学用于主要研究任务。 挑剔的人将一目了然地了解这个小工具所制作的组件的位置。



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